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Matériaux Grands Gaps pour l'Electronique de Puissance : Enjeux, Intégration système et commande rapprochée

 Pourquoi ?

La gestion de l’énergie électrique est au coeur des priorités nationales, européennes et internationales. Pour exemple, la commission européenne a identifié l’enjeu énergétique comme hautement prioritaire, via le défi sociétal « Secure, Clean and Efficient Energy » du programme H2020. Les convertisseurs d’énergie électrique font partie des outils qui permettront de répondre à ces défis techniques, en repoussant les compromis classiques de rendement énergétique, fiabilité et intégration. Parmi les ruptures technologiques de premier plan, l’émergence des composants de puissance à matériaux grands-gaps (SiC, GaN) et ultra grands-gaps (Ga2O3, AlN, diamant) impose de reconsidérer l’association entre les transistors de puissance et les circuits de commande rapprochée, sous les contraintes d’augmentation des vitesses de commutation, de fréquence de commutation, de températures limites de fonctionnement et de tensions à supporter. Les ruptures sur les transistors de puissance à matériau grand-gap doivent être couplées à une optimisation système, en lien avec les applications et les contraintes technologiques. Cette nouvelle donne impose une approche pluridisciplinaire, mariant l’électronique de puissance et les technologies de la microélectronique, en focalisant particulièrement l’attention des acteurs du domaine sur les interactions entre circuits de pilotage rapproché (« gate driver ») et cellules de commutation de puissance à transistors grands-gaps.

Thème / Objectif

Le thème de cette école thématique est centré sur les nouveaux enjeux introduits par les composants actifs à matériaux grands gaps dans la conversion d’énergie électrique. Notre ambition est de couvrir l’ensemble des problématiques, depuis les principes physiques, jusqu’aux interactions dans le système. Nous nous appuierons sur des compétences pluridisciplinaires et complémentaires des intervenants, et un mélange de cours, cours/TD et de bureaux d’étude. Cette action s’inscrit particulièrement dans la dynamique du GT driver et des GT périphériques du GDR SEEDS, mais notre souhait est aussi l’accessibilité de l’école thématique au plus grand nombre (génie électrique, physique appliquée). Cette école thématique est centrée autour des matériaux grands gaps pour l’électronique de puissance mais se propose d’aborder les enjeux de ces derniers sous un axe pluridisciplinaire.

Public concerné

Universitaires enseignants - chercheurs, ingénieurs, techniciens

Doctorants(es)

Industriels ingénieurs d'études, ingénieurs système

 

 

 

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